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标题:IXYS艾赛斯IXGT32N120A3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXGT32N120A3功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,成为了众多电子设备中的关键元件。 IXGT32N120A3是一款1200V、75A、300W的TO268封装IGBT。这款器件的特点在于其高耐压、大电流和大功率,使其在各种高电压大电流的场合中都能发挥出色。其优越的性能和紧凑的封装,使得它在许多工业和消费电子产品中
标题:Infineon(IR) IHW30N110R5XKSA1功率半导体IGBT及其TRENCH技术的应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IHW30N110R5XKSA1功率半导体IGBT,以其卓越的性能和稳定性,成为了市场上的明星产品。其采用的TRENCH技术更是为这款产品增添了独特的魅力。 首先,让我们了解一下IGBT的基本概念和工作原理。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一
标题:IXYS艾赛斯IXGH10N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着电力电子技术的快速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXGH10N170A功率半导体IGBT,以其出色的性能和卓越的能效,成为当今电力电子设备中的重要组成部分。本文将介绍IXGH10N170A的技术特点和方案应用。 一、技术特点 IXGH10N170A是一款高性能的功率半导体IGBT,具有以下特点: 1. 1700V的耐压值,保证了其在高电压应用中的稳定性和安全性。 2. 1
标题:Infineon(IR) IKP30N65F5XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKP30N65F5XKSA1功率半导体IGBT是一种高效、可靠的功率电子设备,其采用TRENCH 650V技术,具有55A的额定电流。这种器件在各种工业应用和电子设备中发挥着关键作用,特别是在需要大电流和高效率的场合。 IKP30N65F5XKSA1 IGBT的特性包括其650V的额定电压,允许其在各种电压范围内稳定工作。其55A的额定电流使其能够处理大电流,从而提高了设
标题:IXYS艾赛斯IXGH24N120C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯IXGH24N120C3功率半导体IGBT是一款高性能的1200V 48A 250W的TO247封装功率器件。这款器件以其出色的性能和可靠性,广泛应用于各种高功率电子设备中,如逆变器、电源转换器、电机驱动等。 二、技术特点 IXGH24N120C3功率半导体IGBT具有以下主要技术特点: 1. 高压和大电流能力:这款器件能够在高达1200V的电压下工作,提供高达48A的电流输出,这使得它适用于
标题:Infineon(IR) IHW25N140R5LXKSA1功率半导体在家庭电器中的技术和方案应用介绍 随着科技的发展,功率半导体在各个领域的应用越来越广泛。其中,Infineon(IR)的IHW25N140R5LXKSA1功率半导体以其出色的性能和可靠性,在家庭电器领域发挥着越来越重要的作用。 IHW25N140R5LXKSA1是一款高速功率MOSFET,它采用Infineon(IR)独特的第五代IGBT技术,具有高耐压、大电流、低损耗等特点。在家庭电器中,这种功率半导体可以应用在各种
标题:IXYS艾赛斯IXGP30N120B3功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXGP30N120B3功率半导体IGBT是一款高性能的1200V 60A 300W的TO220封装的IGBT。它是一种重要的功率电子器件,广泛应用于各种电子设备中,如电源转换器、电机驱动器、加热器和照明系统等。 二、技术特点 IXYS艾赛斯IXGP30N120B3功率半导体IGBT的主要技术特点包括高输入阻抗、低导通压降、快速开关特性以及高重复性。这些特性使得它在高效率电源转换和节能应用中具
标题:Infineon(IR) IKB30N65ES5ATMA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKB30N65ES5ATMA1功率半导体IGBT是一种高效、可靠的功率电子设备,其采用TRENCH/FS 650V技术,具有62A的额定电流。这种器件在各种工业应用中发挥着关键作用,特别是在需要高功率转换和高效率的场合。 IKB30N65ES5ATMA1的IGBT结构是一种具有特殊设计特点的TRENCH IGBT,它具有更高的导通电阻效率和更短的开关时间。这种结构特别适
功率放大电路简称功放电路,其功能是放大幅度较大的信号。让信号有足够的功率来推动大功率的负载。功放电路一般用做末级放大电路。下面ic库存网来说说各类功率放大电路的三种状态。 甲类:能放大交流信号完整的正负半周信号。 乙类:只能放大半个周期的交流信号。 甲乙类:能放大超过半个周期的交流信号。 多种电路 1.变压器耦合功率放大电路 信号正半周: VT1导通,VT2截止 。电流方向: vcc 》L4 》 VT1集电极 》 VT1的发射极》R3 》地 信号负半周: VT1截止,VT2导通。电流方向:vc
标题:IXYS艾赛斯IXYP20N120C3功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXYP20N120C3功率半导体IGBT是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其工作电压高达1200V,电流容量为40A,最高功率输出为278W。这种器件在电气特性上表现出色,适用于各种工业应用场景,如电机驱动、电源转换、加热设备等。 二、工作原理 IGBT是一种复合型功率半导体器件,结合了晶体管和双极型功率器件的优点。IXYS艾赛斯IXYP20N120C3 IGBT在输入