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- 发布日期：2024-01-10 16:33 点击次数：134
TGS2355-SM
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请参阅产品规格
编号：
772-TGS2355-SM
制造商编号：
TGS2355-SM
制造商：
Qorvo
Qorvo
客户编号:
说明：
RF 开关 IC .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN
数据表:
TGS2355-SM 数据表 (PDF)
ECAD模型:
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产品从完整卷轴带切割成定制数量。
eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
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完整卷轴
订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按?的倍数订购。
卷轴和剪切带
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卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。
备用包装
制造商零件编号:
TGS2355
包装:
Gel Pack
供货情况:
库存量
单价:
¥1,019.599
最小:
50
特色产品
芯片采购平台控制电压为0/−40V，用于连续波和脉冲射频操作。
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">
规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: Qorvo 产品种类: RF 开关 IC RoHS: 详细信息 开关配置: SPDT 最小频率: 500 MHz 最大频率: 6 GHz 介入损耗: 1.1 dB 隔离—典型值: 40 dB 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: QFN-32 技术: Si 系列: TGS2355 封装: Tray 商标: Qorvo 高控制电压: - 48 V 湿度敏感性: Yes 开关数量: Single 工作电源电流: 1 mA Pd-功率耗散: 35 W 产品类型: RF Switch ICs 工厂包装数量: 工厂包装数量: 50 子类别: Wireless & RF Integrated Circuits 零件号别名: TGS2355 1097064 单位重量: 5.058 g
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产品合规性
CNHTS: 8542399000 CAHTS: 8542390000 USHTS: 8542390001 JPHTS: 854239099 TARIC: 8542399000 MXHTS: 8542399901 ECCN: EAR99
更多信息
TGS2355-SM High Power GaN Switch
Qorvo TGS2355-SM High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch that operates from 0.5GHz to 6.0GHz. Fabricated on Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25), the TGS2355-SM provides up to 100W input power handling with <1.1dB insertion loss over most of the operating band and greater than 40dB isolation. These qualities make the TGS2355-SM GaN Switch ideal for high-power switching applications across both defense and commercial platforms.
GaN Solutions
Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.
GaN Switches
Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.
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